Efficiently gate-tunable ferromagnetism in ferromagnetic semiconductor-Dirac semimetal p-n heterojunctions
Il paper presenta un eterogiunzione p-n gate-tunabile tra il semimetallo di Dirac Cd3As2 e il semiconduttore ferromagnetico In1−xMnxAs, dimostrando che la temperatura di Curie può essere modulata efficientemente tramite una modesta tensione di gate, rivelando un'interazione critica tra il semimetallo topologico e il ferromagnete.
Emma Steinebronn, Saurav Islam, Abhinava Chatterjee, Bimal Neupane, Alex Grutter, Christopher Jensen, Julie A. Borchers, Timothy Charlton, Wilson J. Yanez-Parreno, Juan Chamorro, Tanya Berry, Supriya Ghosh, K. A. Nivedith, K. Andre Mkhoyan, Tyrel McQueen, Yuanxi Wang, Chaoxing Liu, Nitin SamarthMon, 09 Ma🔬 cond-mat.mes-hall