Nanoscale mapping of stacking-dependent work function and local photoresponse in CVD-grown MoS2 bilayers by KPFM
Questo studio utilizza la microscopia a sonda di Kelvin (KPFM) per mappare le variazioni del lavoro di estrazione e della risposta fotoelettrica locale in bilayer di MoS2 cresciuti con CVD, rivelando come l'ordine di impilamento (AA' e AB), il drogaggio n-type indotto dal substrato e l'intrappolamento di cariche influenzino le proprietà optoelettroniche.