How Similar Can Fractional Chern Insulators Be to Fractional Quantum Hall States? Moiré-Enhanced Gaps and Excitation-Spectrum Correspondence
Questo articolo stabilisce un principio teorico dimostrando che, sopprimendo selettivamente le modulazioni della densità elettronica a piccolo vettore d'onda e amplificando quelle a grande vettore d'onda nelle bande di Chern piatte, il gap dell'isolante di Chern frazionario e lo spettro di eccitazione possono essere arbitrariamente potenziati e resi corrispondenti in modo prevedibile agli stati di Hall quantistico frazionario, fornendo così diagnostici pratici per stati non-Abeliani robusti nei sistemi moiré.