Groove-shaped defects in as-grown (001)-oriented -GaO epilayers prepared by halide vapor phase epitaxy
Questo studio rivela che i difetti a forma di scanalatura negli strati epitaziali di -GaO orientati (001) cresciuti mediante epitassia in fase vapore di aluri derivano da variazioni locali dell'orientamento superficiale e dell'apporto di gradini che promuovono una crescita sfaccettata, con difetti planari associati che si formano come conseguenza della coalescenza dei settori di crescita piuttosto che come siti di nucleazione da dislocazioni del substrato.