Localized Energy States Induced by Atomic-Level Interfacial Broadening in Heterostructures
Il documento presenta un quadro teorico e conferma sperimentalmente che l'allargamento interfacciale a livello atomico nelle superlattice (SiGe)m/(Si)m induce stati energetici localizzati che creano nuove transizioni ottiche tra 2 e 2,5 eV, offrendo un metodo non distruttivo per caratterizzare tale fenomeno.