Role of Local Structural Variation in X-ray Photoelectron Spectrum of Silicon Oxide Interfaces
Lo studio dimostra che l'ampiezza degli spettri di fotoemissione di raggi X delle interfacce di ossido di silicio deriva da una distribuzione statistica continua delle energie di legame dei livelli core attraverso vari motivi strutturali locali, il che oscura le distinte impronte chimiche e mette in discussione i metodi convenzionali di assegnazione spettrale.