Revealing Charge Transfer in Defect-Engineered 4H-TaS
Questo studio presenta un'indagine computazionale su larga scala che analizza sistematicamente oltre 90 difetti nel TaS 4 per chiarire la loro natura microscopica e il loro impatto sul trasferimento di carica interstrato, fornendo una risorsa fondamentale per la futura ingegneria dei difetti in questo materiale.