Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells
Questo studio utilizza simulazioni elettrotermiche a elementi finiti 2D per dimostrare che gli effetti termoelettrici e il trasporto filamentoso nelle celle di memoria a cambiamento di fase a forma di fungo in GeSbTe riducono significativamente l'energia e la potenza di Reset quando la corrente scorre dall'elettrodo superiore al stretto elettrodo inferiore, rivelando al contempo che il volume di programmazione è indipendente dalle dimensioni del contatto sopra i 10 nm e che contatti più grandi scambiano una maggiore variabilità con una migliore affidabilità.