Identifying Contact Barrier Types in Few-Layer MoS2 Devices Using Correlative IV, LBIC, and Bias-Dependent KPFM
Questo articolo presenta un framework sperimentale integrato che combina IV, LBIC e KPFM dipendente dal bias per identificare e caratterizzare in modo univoco le barriere di contatto Schottky rispetto a quelle a effetto tunnel in dispositivi di MoS2 a pochi strati, dimostrando che, sebbene l'annealing termico riduca la resistenza totale, le barriere di contatto rimangono il fattore limitante dominante.