Synchrotron-radiation X-ray topography and reticulography of bulk -GaO crystals grown from a crucible-free melt
Lo studio ha analizzato le proprietà strutturali di un cristallo singolo di -GaO cresciuto con il metodo OCCC tramite topografia e reticolografia a raggi X, rivelando un'alta qualità cristallina nella regione iniziale, l'insorgenza di disallineamenti reticolari di tipo torsionale durante l'allargamento del diametro e una predominanza di dislocazioni a vite orientate lungo con densità variabili in base alla zona del cristallo.