Field-Driven Hybrid Filament Formation Governs Switching in Ta-HfO-Pt Memristors
Questo studio impiega simulazioni di dinamica molecolare con trasferimento di carica dinamico per rivelare che la commutazione nei memristori Ta/HfO/Pt è governata dalla formazione guidata dal campo di filamenti ibridi composti sia da cationi di Ta che da vacanze di ossigeno, dimostrando come le configurazioni iniziali dei difetti determinino la morfologia dei filamenti e offrendo un quadro robusto per ridurre la variabilità del dispositivo.