Buried Stressor Engineering for Position-Controlled InGaAs Quantum Dots with Local Density Variation for Integrated Quantum Photonics
Questo studio presenta la crescita epitassiale monolitica di punti quantici InGaAs controllati nella posizione tramite un metodo a stressor sepolti con variazione locale della densità, dimostrando un'alta precisione di posizionamento e la possibilità di integrare su un singolo chip sia sorgenti a fotone singolo che microlaser per applicazioni nella fotonica quantistica.