Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
Questo studio impiega la teoria del funzionale densità per dimostrare che l'accoppiamento spin-orbita altera significativamente le proprietà strutturali ed elettroniche dei materiali planari pentagonali p-MS (M = Si, Ge, Pb), stabilizzando le varianti di Ge e Pb e inducendo una transizione da metallo a semiconduttore in p-PbS con un band gap di 0,475 eV, suggerendo così il suo potenziale per applicazioni di rilevamento dei gas.