Engineering Ferromagnetism in Wide Bandgap w-AlN for Spintronic Applications: Insights from DFT Calculations
Questo studio utilizza la teoria del funzionale della densità con polarizzazione di spin per dimostrare che l'w-AlN drogato con Cr è un semiconduttore ferromagnetico stabile ad ampio bandgap capace di transire da stati isolanti a stati semimetallici e metallici a temperatura ambiente, mentre le varianti drogate con Ru e Rh rimangono instabili nello stato ferromagnetico, evidenziando l'w-AlN drogato con Cr come un candidato promettente per applicazioni spintroniche.