Pomeranchuk-like electronic localization above 100 K in twisted MoS
Questo studio riporta la scoperta di stati elettronici correlati nelle bande di conduzione di MoS a doppio strato con torsione quasi-AA, rivelando un diagramma di fase dipendente dall'angolo di torsione in cui la localizzazione elettronica di tipo Pomeranchuk persiste sopra i 100 K, distinguendosi da fenomeni simili nei sistemi di grafene.