Vacancy-Enhanced Bonding and Deep Level Complex Defect Formation in
I calcoli basati sui primi principi rivelano che i complessi di difetti legati all'azoto nel , in particolare quelli potenziati dalle vacanze di ossigeno e gallio, formano centri di intrappolamento stabili di livello profondo che introducono stati elettronici localizzati all'interno del band gap, limitando di conseguenza il trasporto dei portatori e promuovendo un comportamento semi-isolante.