Stacking-dependent thermoelectric transport in layered Sc_2Si_2Te_6 from first principles
Questo studio rivela che la sequenza di impilamento (AA, AB o ABC) nello Sc₂Si₂Te₆ stratificato modula significativamente la degenerazione delle bande elettroniche e la conduttività termica reticolare, determinando infine che le strutture ABC e AB offrono prestazioni termoelettriche superiori rispetto alla struttura AA.