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Scalable and deterministic construction of moiré superlattice in 2D materials using stressor films

Questo articolo dimostra un metodo scalabile e deterministico per la costruzione di superreticoli di moiré in materiali 2D utilizzando stressori a film sottile con pattern per indurre etrostrain controllato, consentendo l'ingegnerizzazione di specifiche deformazioni reticolari e polarizzazione in-plane.

Spin current symmetries generated by GdFeCo ferrimagnet across its magnetisation compensation temperature

First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and B$_x$Al$_{1-x}$N alloys

Questo studio impiega metodi computazionali avanzati per determinare e analizzare gli allineamenti di banda polari e non polari delle leghe di wurtzite B$_x$Al$_{1-x}$N, rivelando allineamenti di tipo I o II dipendenti dalla composizione ed effetti di polarità superficiale che forniscono linee guida progettuali critiche per i transistor ad alta mobilità elettronica e i dispositivi optoelettronici ultravioletti.

Fracture initiation in silicate glasses via a universal shear localization mechanism

Questo studio dimostra che l'iniziazione della frattura nei vetri silicati è governata da un meccanismo universale di localizzazione del taglio, sfidando la visione tradizionale che enfatizza la densificazione volumetrica e allineando questi materiali al comportamento di rottura dei vetri metallici massicci e dei polimeri amorfi.

Fabry-Perot Interference, g-factor Anisotropy, and Gate-Tunable Quantum dot in Chiral Tellurium Nanowires

Questo studio dimostra che i nanofili di tellurio chirali cresciuti tramite via idrotermale esibiscono un trasporto quasi-ballistico a coerenza di fase, la formazione di punti quantici regolabile tramite gate e fattori g altamente anisotropi, stabilendoli come una piattaforma versatile per la ricerca su qubit di spin e modi zero di Majorana.

Synthesis and Characterization of Atomically-Sharp Superconductor-Dielectric Interface

Questo articolo presenta un nuovo metodo per la crescita di strati di ossido di zirconio altamente cristallini e stabili all'aria su niobio che formano interfacce atomicamente nitide e prevengono la ricrescita di ossido, offrendo così un percorso promettente per ridurre i difetti a due livelli e migliorare i tempi di coerenza dei dispositivi quantistici superconduttori.

Graphlet Histogram Representation Database of Inorganic Crystals

Questo articolo introduce Graphlet-MP, un database completo e un toolkit open-source che fornisce rappresentazioni di istogrammi di graphlet interpretabili ed efficienti dal punto di vista dei dati per oltre 149.000 cristalli inorganici, al fine di abilitare la predizione delle proprietà dei materiali anche con dati sperimentali scarsi.

Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells

Questo studio utilizza simulazioni elettrotermiche a elementi finiti 2D per dimostrare che gli effetti termoelettrici e il trasporto filamentoso nelle celle di memoria a cambiamento di fase a forma di fungo in Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ riducono significativamente l'energia e la potenza di Reset quando la corrente scorre dall'elettrodo superiore al stretto elettrodo inferiore, rivelando al contempo che il volume di programmazione è indipendente dalle dimensioni del contatto sopra i 10 nm e che contatti più grandi scambiano una maggiore variabilità con una migliore affidabilità.

Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped V$_2$O$_3$ films

Questo studio dimostra che film di V$_2$O$_3$ drogati con cromo ultra-sottili (fino a 5 nm) esibiscono proprietà di selettore migliorate, quali una bassa corrente di perdita e transizioni brusche, probabilmente a causa di uno strato amorfo interfacciale e della diffusione di Ti dall'elettrodo che omogeneizza il comportamento delle fasi cristallina e amorfa.

Electrical Spectroscopy of Intervalley Relaxation in WSe$_2$ Transistors

Questo articolo dimostra che la transconduttanza dei transistor a effetto di campo in WSe$_2$ multistrato può fungere da spettrometro elettrico diretto per misurare i tempi di rilassamento intervallata, offrendo tre firme distinte — risposta in frequenza lorentziana, transitori di corrente a due stadi e isteresi proporzionale alla velocità di scansione — che forniscono un accesso quantitativo a questo parametro utilizzando strumentazione standard.