A general formula for the amplitude-frequency ratio in shaking induced Mott insulator of atomtronic transistors
Questo articolo presenta una formula generale per il rapporto ampiezza-frequenza richiesto per indurre una transizione da isolante di Mott a conduttore in un sistema atomtronico a doppio pozzo scosso, dimostrando che l'approccio degli autostati istantanei offre un intervallo di parametri validi più ampio rispetto al tradizionale metodo dell'Hamiltoniana efficace tempo-indipendente e rivelando che l'effetto isolante deriva dalla localizzazione coerente dei pacchetti d'onda atomici.