Transmission Line Method Characterization of Thermally Evaporated Al/Cr/Au Contacts on AlGaN/GaN-on-Silicon Carbide Heterostructures
Questo studio dimostra che i contatti Al/Cr/Au evaporati termicamente su eterostrutture AlGaN/GaN-on-SiC, quando ricotti a 850°C per 47 secondi, formano interfacce ohmiche a bassa resistenza adatte per applicazioni di dispositivi GaN ad alta frequenza e alta potenza, come validato dalla caratterizzazione tramite il metodo della linea di trasmissione.