Nanofluidic memristor with an ultra-low operating voltage
Questo studio introduce un memristore nanofluidico Cu–PAF/CuSO₄–Cu che raggiunge uno switching a tensione ultra-bassa (sub-100 mV) e un'emulazione sinaptica efficiente dal punto di vista energetico ottimizzando le coppie elettrodo-elettrolita e utilizzando l'adsorbimento ionico reversibile all'interno dei nano canali per superare i precedenti limiti di tensione nel calcolo neuromorfico.