Influence of electrical properties on thermal boundary conductance at metal/semiconductor interface
Questo studio dimostra che è possibile modulare la conduttanza termica all'interfaccia tra metalli e semiconduttori drogati, come il silicio e il titanio, sfruttando le proprietà elettriche, in particolare attraverso l'applicazione di una corrente che riduce l'area di carica spaziale e aumenta la conduttanza fino al 40%.