Capacitively Coupled GaAs p-i-n/Substrate Photodetector with Ohmic Contacts on Lightly Doped n-GaAs for Hard X-Ray Imaging
Questo lavoro presenta un fotodiodo p-i-n in GaAs accoppiato capacitivamente con contatti ohmici su n-GaAs leggermente drogato, realizzato tramite un processo di ricottura multi-step a bassa temperatura, che dimostra la capacità di rilevare impulsi di raggi X duri con un livello di rumore ridotto e una sensibilità di 10^6 elettroni per impulso.