Topological-Insulator Heterophase Gate Stacks for Transistor Electrostatics
Questo articolo dimostra che l'ingegnerizzazione del confine di screening lato gate, convertendo la superficie di un isolante topologico (Bi₂Se₃) in uno strato isolante ad alta costante dielettrica (BiF₃), crea un'interfaccia ricostruita che, nonostante riduca la capacità nominale, migliora significativamente l'elettrostatica del transistor consentendo uno switching quasi termionico e riducendo drasticamente l'abbassamento della barriera indotto dal drain.