A Nanoscale Pixel Architecture for High-Efficiency AlGaN Ultraviolet-C (UV-C) Light-Emitting Diodes
Questo articolo dimostra che array di nanopixel UV-C in AlGaN da ~400 nm fabbricati con tecnica top-down aumentano significativamente l'efficienza quantistica esterna e la densità di potenza riducendo le dislocazioni di threading e migliorando l'estrazione della luce trasversa magnetica rispetto ai controparti planari, stabilendo un percorso scalabile per emettitori deep UV ad alte prestazioni.