Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
Questo studio dimostra che film sottili di GaAs homoepitassiali non drogati di alta qualità, con superfici lisce, basse concentrazioni di portatori e alta mobilità, possono essere cresciuti con successo utilizzando precursori trietilgallio (TEGa) e terzibutilarsina (TBAs) a temperature di crescita di 600°C e superiori, superando significativamente i film cresciuti a temperature inferiori.