SiGe/Si(111)/SiGe heterostructure for Si spin qubits with electrons confined in L valley of conduction band
Questo studio teorico propone l'uso di eterostrutture SiGe/Si(111)/SiGe sottoposte a forte tensione biaxiale per confinare gli elettroni nella valle L della banda di conduzione, creando un sistema a due livelli ideale per qubit di spin al silicio e valutando la fattibilità di tale realizzazione attraverso il calcolo della concentrazione di germanio necessaria e dello spessore critico prima del rilassamento plastico.