In-Substrate Imaging of Diamond hBN FET Current via Widefield Quantum Diamond Microscopy
Questo studio dimostra la microscopia quantistica a campo largo su diamante utilizzando centri di azoto-vacanza nel substrato per mappare in modo non invasivo e correlare le distribuzioni di corrente su scala micrometrica con le caratteristiche elettriche in transistor a effetto di campo su diamante con terminazione idrogenata, rivelando approfondimenti sul trasporto nel canale, sulle non uniformità dielettriche e sugli effetti elettrostatici indotti dalla luce.