Probing the Valley-Selective Tunneling Density of States in Monolayer MoS2 based Resonant Tunneling Devices
Questo lavoro dimostra sperimentalmente e valida teoricamente un dispositivo a risonanza tunnel a doppia barriera in MoS2 monostrato cresciuto mediante CVD, che presenta una densità di stati di tunneling fortemente selettiva per la valle, raggiungendo rapporti picco-valle record sia a temperature criogeniche che a temperatura ambiente, evidenziando al contempo il potenziale per applicazioni di qubit spin-valle.