Biaxial Strain-Tunable Type-II MoS₂/WSe₂ van der Waals Heterostructures: Band Alignment Engineering and Broadband Photodetection from the Visible to the Near-Infrared
本研究は、最大2%の引張歪みを加えることでバンドギャップが系統的に減少し、層間電荷移動が最適化され、それによって1.5%の歪みにおいてピークの応答性と検出力を伴う広帯域フォトディテクタ性能が向上することを実証することにより、二軸歪みによる調整が可能なMoS₂/WSe₂ファンデルワールスヘテロ構造の定量的設計規則を確立するものである。