Low-Noise Quantum Dots in Ultra-Shallow Ge/SiGe Heterostructures for Prototyping Hybrid Semiconducting-Superconducting Devices
이 논문은 초저온 산화막 증착 공정을 통해 얇은 SiGe 캡층 (≈4 nm) 을 가진 Ge/SiGe 이종구조에서도 기존 얕은 구조와 유사한 저전하 잡음 수준을 달성하여, 초전도체와의 통합이 용이한 하이브리드 반도체 - 초전도 소자 프로토타이핑에 적합한 플랫폼임을 입증했습니다.
M. Borovkov, Y. Schell, D. Sokolova, K. Roux, P. Falthansl-Scheinecker, G. Fabris, D. Shah, J. Saez-Mollejo, R. Previdi, I. Taha, Aziz Genç, J. Arbiol, S. Calcaterra, A. D. C. Oliveira, D. Chrastina, G. Isella, A. Bubis, G. KatsarosWed, 11 Ma🔬 cond-mat.mes-hall