Probing the nonlocality of Landau levels in GaAs quantum wells through modified Purcell factors, Lamb shifts and dipole emitted spectra
이 논문은 비국소 감수성의 미시적 이론을 채택하여 GaAs 양자 우물 내 란다우 준위의 공간 분산이 퍼셀 인자, 램 이동 및 방출 스펙트럼을 수백 나노미터까지 유의미하게 변화시키며, 특히 근접장 구배를 통해 쌍극자 금지 전이를 현저히 강화한다는 것을 입증한다.