Device-scaling constraints imposed by the van der Waals gap formed in two-dimensional materials
이 논문은 2 차원 물질의 반데르발스 간극이 게이트 누설 전류는 억제하지만 접촉 저항과 기생 커패시턴스를 증가시켜 소자 스케일링에 제약을 준다는 트레이드오프를 규명하고, 이를 해결하기 위해 준공유 결합을 통해 간극을 제거하는 지퍼형 인터페이스가 차세대 초소형 트랜지스터 설계의 핵심 해결책임을 제시합니다.