Cryogenic Loss Limits in Microwave Epitaxial AlN Acoustic Resonators
이 논문은 6.5K 에서 300K 온도 범위에서 16GHz 에피택셜 AlN FBAR 의 실험적 측정을 바탕으로 내재적 및 외재적 손실 메커니즘을 통합한 물리 기반 모델을 개발하여, 초전도 양자 하드웨어용 저손실 마이크로파 공진기의 극저온 품질계수 (Q) 한계를 정량화하고 설계에 활용할 수 있는 실용적인 프레임워크를 제시했습니다.