Impact of gate voltage on switching field of perpendicular magnetic tunnel junctions with a synthetic antiferromagnetic free layer
이 논문은 합성 반강자성 자유층을 가진 수직 자기 터널 접합 (MTJ) 에서 게이트 전압이 스위칭 필드에 미치는 영향을 시뮬레이션과 실험을 통해 분석하여, 고 저항 - 면적 (RA) 제품에서는 전압 제어 자기 이방성 (VCMA) 이 지배적이지만 저 RA 제품에서는 스핀 전달 토크 (STT) 와 줄 열의 비선형적 기여가 두드러짐을 규명하고, SOT-MRAM 의 성능 최적화 및 확장성을 위한 통합 분석 프레임워크를 제시했습니다.