Gate-tunable synthetic antiferromagnetism with nonrelativistic spin splitting in a graphene/MnS/graphene heterostructure
본 논문은 그래핀/MnS/그래핀 이종구조를 통해 게이트 전압으로 조절 가능한 합성 반강자성체와 비상대론적 스핀 분리를 실현하여, 그래핀을 통한 효율적인 스핀트로닉스 수송과 거대 자기저항 효과를 유도할 수 있음을 이론적으로 제시합니다.