Enhanced thermal conductivity of (010) (AlxGa1-x)2O3 epitaxial films utilizing indium-catalyzed molecular beam epitaxy
본 연구는 인듐 촉매 분자선 에피택시가 결함 산란을 억제함으로써 이전에 보고된 값보다 두 배 높은 열전도율을 갖는 고품질의 단상 (010) (AlxGa1-x)2O3 박막 성장을 가능하게 함을 입증하는 동시에, 합금 산란 및 계면 경화로 인한 후속적인 열적 특성 저하를 규명한다.