Nanoscale graphitization and defect evolution in silicon-vacancy center-containing nanodiamonds under high-pressure high-temperature annealing
본 연구는 실리콘-공석(silicon-vacancy) 센터를 포함하는 나노다이아몬드에 대해, 상변화를 유도하지 않으면서 광학적 특성을 개선할 수 있는 변형 완화 어닐링을 가능하게 하는 특정 흑연화 임계치를 식별함으로써, 실시간(in situ) 방사광 X선 회절을 활용하여 나노다이아몬드의 정밀한 고압 고온 공정 창을 확립한다.