Design and Optimization of Spin Dynamics in Ge Quantum Dots: g-Factor Modulation, Geometry-Induced Dephasing Sweet Spots, and Phonon-Induced Relaxation
이 논문은 3 차원 시뮬레이션을 통해 게이트 형상과 바이어스 비대칭을 조절하여 게이트 정의된 Ge 홀 양자점의 g-인자 변조, 전기장 변동에 대한 1 차 무감응 '스윗 스팟' 생성, 및 라슈바 우세 중공홀 스핀 역학에 따른 T1 이완 최적화를 실현할 수 있음을 보여줍니다.