Electron viscosity and device-dependent variability in four-probe electrical transport in ultra-clean graphene field-effect transistors
본 연구는 초고순도 그래핀 전계효과 트랜지스터에서 나타나는 소자 의존적 가변성을 조사하며, 저항 변동의 원인을 경쟁하는 산란 메커니즘과 접촉 결합에 기인한 것으로 규명하는 동시에, 고이동도 그래핀에서 점성 전자 기여도를 효과적으로 추출하기 위한 현상학적 분석 방법을 제안한다.