Groove-shaped defects in as-grown (001)-oriented -GaO epilayers prepared by halide vapor phase epitaxy
이 연구는 할라이드 기상 에피택시 방식으로 성장시킨 (001) 방향의 -GaO 에피층에서 나타나는 홈 모양의 결함이, 면 형성을 촉진하는 국부적인 표면 방위 및 스텝 공급의 변화로부터 기인하며, 이와 관련된 평면 결함은 기판 전위로부터의 핵 생성 부위로서가 아니라 성장 섹터의 합착(growth-sector coalescence)의 결과로서 형성된다는 것을 밝혀냈다.