Temperature Dependent Characteristics of Quasi-vertical AlN Schottky Diodes on Bulk AlN Substrate
이 논문은 벌크 AlN 기판 위에 MOCVD 공정을 통해 제작된 준수직형 AlN 쇼트키 장벽 다이오드의 고온 (300°C) 작동 안정성, 전하 수송 메커니즘, 누설 전류 원인 및 계면 특성을 종합적으로 분석하여 차세대 고전력 AlN 소자 개발에 필요한 기초 자료를 제시합니다.