Atomistic mechanism and interface-structure-energetics of van der Waals epitaxy demonstrated by layered alpha-MoO3 growth on mica
이 논문은 X 선 회절, 전자 현미경 및 ab initio 계산을 통해 mica(001) 기판 위의 -MoO(0k0) 박막 성장에서 원자 수준의 계면 구조와 에너지 메커니즘을 규명함으로써, 격자 불일치가 큰 경우에도 전위 없이 스트레스 없는 박막 성장을 가능하게 하는 반데르발스 에피택시의 원리를 설명하고 예측할 수 있는 틀을 제시합니다.