An ultra-wide-bandgap semiconductor photodetector for linear measurement of bright sub-bandgap light
본 논문은 좁은 공간 전하 영역을 형성하도록 특정 도펀트 설계 및 접촉 구조로 공학적으로 설계된 서브 밴드갭 AlN 광검출기가 심층 준위 결함 매개 광응답을 활용함으로써, 초고휘도 청색광 및 고온 환경에서도 비포화적이고 선형적인 응답을 달ach하여 극한의 산업 및 항공우주 환경에서 신뢰할 수 있는 센싱을 가능하게 함을 입증한다.