Surface Modification for III-V Selective Area Molecular Beam Epitaxy of Non-Selective Mask Materials
본 연구는 1 nm 미만의 이산화규소 캡핑층을 증착하는 것이 및 와 같이 반응성이 높거나 비선택적인 마스크 재료 위에서도 III-V족 반도체의 선택 영역 분자선 에피택시를 가능하게 함으로써, 기존 마스크의 스펙트럼 성능을 저하시키지 않으면서도 그 광학적 한계를 극복할 수 있음을 입증한다.