Following the Long-Term Evolution of sp-type Defects in Tritiated Graphene using Raman Spectroscopy
본 연구는 Si/SiO₂ 기판 위의 단층 그래핀에서 트리튬에 의해 유도된 sp³ 결함이 표준 실험실 조건 하에서 2년에 걸쳐 거의 완전히 고갈된다는 것을 보여주며, 이러한 회복 속도는 트리튬 붕괴만으로 예상되는 속도를 크게 상회할 뿐만 아니라 수소화된 그래핀의 거동과도 구별된다.