Kilovolt-class Vertical (011) \b{eta}-Ga2O3 Schottky Diodes for High Voltage and High Temperature Applications
본 논문은 가장자리 종단(edge termination)을 위해 TiO/AlO 필드 플레이트를 활용하여 최대 4.16 kV의 우수한 항복 전압을 달성하고 150°C까지 최소한의 누설 전류로 탁월한 정류 성능을 유지하는 킬로볼트급 수직형 (011) -GaO 쇼트키 다이오드의 개발을 보고하며, 이는 고전압 및 고온 전력 응용 분야에서의 높은 잠재력을 입증한다.