Rapid Atmospheric Vapor Deposition of H:In2O3 Transparent Conducting Oxide Thin Films
본 논문은 물에서 유래된 수소 도펀트를 활용하여 캐리어 이동도를 크게 향상시킴으로써, 상용 표준보다 우수한 전도도와 투과율을 가진 고성능 H:In2O3 투명 전도성 산화물 박막을 온화한 온도 (140°C) 에서 신속하고 비용 효율적으로 합성할 수 있는 대기압 화학 기상 증착 (AP-CVD) 공정을 입증한다.