Engineering Ferromagnetism in Wide Bandgap w-AlN for Spintronic Applications: Insights from DFT Calculations
본 연구는 스핀 편극 밀도 범함수 이론을 활용하여 Cr이 도핑된 w-AlN이 상온에서 절연체에서 반금속 및 금속 상태로 전이할 수 있는 안정적인 광대역 밴드갭 강자성 반도체임을 입증하는 한편, Ru 및 Rh가 도핑된 변종들은 강자성 상태에서 불안정한 상태로 남는다는 점을 보여줌으로써 Cr이 도핑된 w-AlN이 스핀트로닉스 응용 분야의 유망한 후보임을 강조한다.