From phase transformation to amorphization: damage accumulation in Yb-implanted \b{eta}-Ga2O3
이 연구는 -GaO 내 Yb 이온 주입이 0.4 dpa에서 -GaO로의 변형 유도 상변이를 포함하여, 결함 주도 재구조화와 7 dpa에서의 최종적인 표면 비정질화를 거치는 다단계 손상 축적 과정을 촉발하며, 이를 통해 해당 물질에 대해 기존에 가정되었던 방사선 내구성에 의문을 제기한다는 사실을 밝히고 있다.