Effects of InAlAs Barrier and Spacer Thicknesses on MOCVD-Grown InP-HEMTs for Enhancement-Mode Operation
본 연구는 MOCVD로 성장된 InP-HEMT에서 증폭 모드(enhancement-mode) 동작을 달축하기 위해서는 InAlAs 장벽 두께를 줄이고 스페이서 두께를 최적화하는 것이 결정적임을 실험적으로 입증하는 동시에, 문턱 전압 이동, 전자 이동도, 게이트 누설 전류 및 전달 컨덕턴스 사이의 내재적인 트레이드오프 관계를 강조한다.