Fabrication and DC Characterization of BST-Gated AlGaN/GaN MOS-HEMT Structures in Two- and Three-Terminal Configurations
본 연구는 BST 게이트 유전체를 적용하거나 적용하지 않은 2단자 및 3단자 구성의 마이크로 스케일 AlGaN/GaN MOS-HEMT 소자를 제작 및 특성화하였으며, 문턱 전압 0.028 V, 약 10⁻⁸ A의 온-전류(on-current), 그리고 4.0×10⁻⁶ S의 최대 전달 컨덕턴스(transconductance)와 같은 주요 DC 성능 지표를 보고한다.